长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证 - 开云体育

10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会上表示，报告期内，公司第五代工艺技术平台已进入量产阶段；在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键进展后，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证；LPDDR6产品也实现了量产。

公告指出，第五代工艺技术平台是长鑫当前量产的最先进平台，目前主要推出的是245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品。未来，公司将基于这一平台逐步升级现有产品线，如DDR5、LPDDR6等，以持续提升产品性能并丰富产品组合。同时，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。

IT之家从公告中获悉，第五代工艺技术平台每片晶圆产出的裸片数量相比第四代平台提升了至少50%，在能效和成本控制方面具有显著优势。这主要得益于该平台在关键工艺维度上实现了多项行业领先的技术突破，从而进一步降低了功耗并提高了接口速度，为LPDDR6未来的大规模量产和商业化应用提供了技术平台支撑。目前，公司基于第六代工艺平台开发的4F²架构，通过更紧凑的布局显著缩小了存储单元面积，提高了单位面积存储密度，为未来的工艺技术平台迭代奠定了坚实基础。

4F²架构是该公司面向下一代前瞻技术的重要布局。在时间节点上，预计今年年底，公司将把采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样；在应用方向上，将优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，随后逐步向其他品类延伸。规模量产将根据客户验证进度和市场需求情况稳步推进。

长鑫科技表示，4F²架构采用逻辑晶圆和存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上具有更大的灵活性。此外，公司自研的VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用垂直包围沟道结构，为后续节点的继续微缩打通了道路。